广西APD探测器价格询问报价「多图」

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LB-622-400APD15F是一款带光纤尾纤输入光信号，将光信号直接耦合进内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管（Avalanche Photon Diode，APD）芯片和跨阻放大器（TIA）芯片的探测器，该产品带FC接口的多模光纤，将光信号耦合到APD探测器上，避免光信号大幅度损坏和易于操作；高响应度，低暗电流。高l性能，速率可达到622Mbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。

在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。

器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ，它表示器件对光照反应速度的大小。