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发布时间:2022-05-24 13:57:00 作者:六博光电
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LB-622-400APD15F是一款带光纤尾纤输入光信号,将光信号直接耦合进内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管(Avalanche Photon Diode,APD)芯片和跨阻放大器(TIA)芯片的探测器,该产品带FC接口的多模光纤,将光信号耦合到APD探测器上,避免光信号大幅度损坏和易于操作;高响应度,低暗电流。高l性能,速率可达到622Mbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。
光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。
光电探测器件的应用选择,实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中,可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下,选用某种器件会更合适些。例如,当需要比较大的光敏面积时,可选用真空光电管,因其光谱响应范围比较宽,故真空光电管普遍应用于分光光度计中。
在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料,因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级,照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能,就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。
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